Escalabilidad de dispositivos tipo memristor basados en nanotubos de TiO₂: prueba de concepto para aplicaciones en memorias no volátiles

Resumo

La ponencia Escalabilidad de dispositivos tipo Memristor basados en Nanotubos de TiO₂: Prueba de Concepto para Aplicaciones en Memorias No Volátiles analizó los avances recientes en el desarrollo de dispositivos memristivos como tecnologías emergentes en el campo de la nanoelectrónica. En un panorama marcado por la necesidad de sistemas de almacenamiento más rápidos, eficientes y de bajo consumo energético, los memristores se presentan como una alternativa prometedora para superar las limitaciones de las memorias tradicionales. La exposición se centró en el uso de nanotubos de dióxido de titanio (TiO₂) como material base, destacando sus propiedades eléctricas, estabilidad y capacidad para facilitar procesos de conmutación resistiva esenciales para la funcionalidad de estos dispositivos.

Uno de los ejes principales de la presentación fue el estudio de la escalabilidad, un factor determinante para la viabilidad tecnológica de los memristores en aplicaciones reales. La ponente mostró cómo la estructuración de TiO₂ en forma de nanotubos permite mejorar la densidad de integración, optimizar la respuesta eléctrica y favorecer la reproducibilidad de los procesos de escritura y borrado en memorias no volátiles. Se abordaron además los mecanismos físicos involucrados en el cambio de resistencia, analizando la migración de vacancias de oxígeno y el comportamiento de las capas activas bajo distintos ciclos de operación.

Asimismo, la ponencia destacó la importancia de establecer pruebas de concepto que permitan evaluar el rendimiento del dispositivo a diferentes escalas, considerando parámetros como durabilidad, velocidad de conmutación y estabilidad temporal. También se discutieron los retos experimentales asociados a la fabricación y caracterización de sistemas memristivos basados en nanotubos, así como los desafíos para su integración con arquitecturas electrónicas modernas.